碳化硅的生产设备

造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？工艺碳化硅中国

2023年5月21日碳化硅器件生产各工艺环节关键设备由于SiC工艺的特殊性，传统用于Si基功率器件制备的设备已不能满足需求，需要增加一些专用的设备作为支撑，如材料制备中的碳化硅单晶生长炉、金刚线多线切割机设 2023年2月4日英杰电气：为碳化硅制造设备配套电源盛美半导体：推出新型化学机械研磨后（PostCMP）清洗设备。这是该公司款PostCMP清洗设备，可用于制造高质量衬底化学机械研磨（CMP）工艺之后的清碳化硅产业链深度解析（全网最全独家）碳化硅产业链 2023年11月12日综合来看，国内碳化硅关键设备产业已经逐步发力，大部分设备类型都已有国产替代方案，在碳化硅产业爆发的情况下，未来碳化硅设备市场也将不断增大，预 2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇知乎

产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻

2022年12月15日国产厂商齐发力切磨抛设备除碳化硅长晶炉设备外，被日本高鸟占据80%以上份额的碳化硅切磨抛设备，成为了上机数控、宇晶股份、大族激光、高测股份 2023年11月12日长晶炉实现国产替代，切磨抛设备仍需发力碳化硅衬底制备目前主要以高纯碳粉、硅粉为原料合成碳化硅粉，采用物理气相传输法（PVT 法），在单晶炉中生长 2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇产能 2023年2月26日国内碳化硅IDM厂商三安光电，衬底厂商天岳先进、露笑科技、东尼电子、北京天科，器件厂商士兰微、华润微电子、燕东微电子等加速扩产，而设备是决定各厂行业研机械设备关注碳化硅设备国产化突破和加速究 2023

碳化硅，第三代半导体时代的中国机会新华网

碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 08:57:31 来源：科技日报 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材 2022年3月7日来源：《拆解PVT生长碳化硅的技术点》工艺的不同导致碳化硅长晶环节相比硅基而言主要有两大劣势。生产难度大，良率较低。碳化硅气相生长的温度在2300℃以上，压力350MPa，全程暗箱进行，易混碳化硅产品的应用方向和生产过程知乎2022年8月25日全球的器件制造商正在加强碳化硅（SiC）的制造，增长将在2024年开始真正起飞。自特斯拉和意法半导体在Model 3中使用碳化硅以来，已经过去了近五年时间。现在，没有人怀疑电动汽车的市场拉动力，但消费者仍然在吵着要更好的续航能力和更快的充电。SiC发展神速设备XFab碳化硅

碳化硅产业链最全分析知乎

2021年12月5日本文首发自公众号：价值盐选今天我们分析一下半导体产业链，这条产业链分为很多环节，比如材料、设备、芯片设计、芯片制造、封装测试。我们先来分析其中一种材料，叫做碳化硅 SiC。 01 SiC 基 2020年6月10日碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约14t的一氧化碳 (CO 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺2022年9月6日四、碳化硅产业现状 1、中国碳化硅产量分为黑碳化硅和绿碳化硅，2020年中国黑碳化硅产量为75万吨，绿碳化硅产量为105万吨，2021年中国黑碳化硅产量为90万吨，绿碳化硅为11万吨，产量相继上涨。说明我国碳化硅行业发展前景及需求量较为良好。 20202021年碳化硅行业发展现状如何？一文读懂碳化硅产量、良率及进出口

小议碳化硅的国产化知乎

2020年10月19日设备方面：碳化硅生产的高端设备，基本掌握在欧美手中。国内核心设备正在加紧国产化。但检测设备与国内其他行业的同类产品一样，是非常大的短板。笔者认为，第三代半导体的国产化比第二代半导体要稍微乐观一些 2022年3月22日掌握了碳化硅晶片生产的“设备研制—原料合成—晶体生长—晶体切割—晶片加工—清洗检测”全流程关键技术和工艺。2020 年 8 月 17，公司碳化硅碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有 2022年3月2日原料合成：将高纯的硅粉+碳粉按配方混合，在 2,000℃以上的高温条件下于反应腔室内进行反应，合成特定晶型和颗粒度的碳化硅颗粒。再经过破碎、筛分、清洗等工序，制得满足晶体生长要求的高纯度碳化硅粉原料。晶体生长：为碳化硅衬底制造最核心工艺碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有

碳化硅产业链深度解析（全网最全独家）碳化硅产业链深度

2023年2月4日英杰电气：为碳化硅制造设备配套电源盛美半导体：推出新型化学机械研磨后（PostCMP）清洗设备。这是该公司款PostCMP清洗设备，可用于制造高质量衬底化学机械研磨（CMP）工艺之后的清洗，其中6英寸和8英寸的配置适用于碳化硅衬底制造 2019年9月5日碳化硅功率器件生产过程衬底方面：通常用Lely法制造，国际主流产品正从4英寸向6英寸过渡，且已经开发出8英寸导电型衬底产品，国内衬底以4英寸为主，质量相对薄弱，主要用于生产10A以下小电流产品，目前单晶生长缓慢且品质不够稳定是碳化硅价格高、市场推广慢的重要原因。第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇知乎2022年12月15日在外延设备方面，晶盛机电表示，公司生产的SiC碳化硅外延设备为公司独立研发设计和生产制造，核心技术均拥有独立的知识产权，目前已实现批量销售。季华实验室也在4月表示，由季华实验室大功率半导体研究团队自主研发的6英寸SiC高温外延产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻

第三代半导体SiC产业链及市场应用研究碳化硅材料

2023年1月4日制作碳化硅器件的大部分设备与传统硅的生产设备相同，但由于碳化硅材料硬度高、熔点高等特性，需要一些特殊的生产设备与工艺。 SiC所需的特定设备包括高温退火炉、高温离子注入机、SiC减薄设备、 2021年7月21日碳化硅，第三代半导体时代的中国机会来源：科技日报 09:39 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步碳化硅，第三代半导体时代的中国机会光明网2020年12月8日 01 切割切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。将SiC晶棒切割成翘曲度小、厚度均匀、低切损的晶片，对于后续的研磨和抛光至关重要。与传统的内圆、外圆切割相比，多线切割具有大切削速度、高加工精度、高效率和较长的寿命等工艺详解碳化硅晶片的工艺流程知乎

碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代碳化硅新浪财经新浪网

2023年6月30日从整个产业链条来看，长晶设备是目前SiC国产化程度最高的环节。碳化硅晶圆制造设备：除了SiC衬底外，晶圆制造难是国产SiC MOSFET尚未应用于主驱的 2023年6月28日盛美上海并在今年3月份盛美上海宣布首次获得Ultra C SiC碳化硅衬底清洗设备的采购订单，该设备兼容6英寸和8英寸，每小时可达70多片晶圆的产能，可国产碳化硅进击8英寸工艺节点最佳“掘金”窗口期步入倒计时 2023年4月26日生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是晶体生长，也是碳化硅半导体材料应用的主要技术难点，是产业链中技术密集型和资金密集型的环节。 SiC 单晶生长方法主要有：物理气相传输法（PVT)、高温化学气相沉积法（HTCVD)和以顶部籽晶溶液生长法(TSSG)为主流的高温溶液生长法（HTSG）。碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速

碳化硅“风起”：海外巨头忙扩产能、国内产业链急追腾讯网

2023年6月28日与此同时，8英寸碳化硅的上游原材料和生产设备等环节，也在逐步推进国产化。而海外大厂也在通过整合补全短板，启动一系列产能扩张计划。但蜂拥而至的游戏玩家也让碳化硅赛道变得拥挤不堪。广东芯聚能半导体CEO周晓阳也在芯谋研究承办 2021年8月24日不同的碳化硅多型体在半导体特性方面表现出各自的特点，利用碳化硅的这一特点可以制作碳化硅不同多型体间晶格完全匹配的异质复合结构和超晶格，从而获得性能极佳的器件。其中6HSiC结构最为稳定，适用于制造光电子器件；3CSiC比6HSiC活泼，其电子迁移率最高、饱和电子漂移速度最快、击穿碳化硅功率器件之一知乎2021年12月3日 “合肥工厂的产能规划是先以50台6英寸炉子（碳化硅衬底生产设备，属于长晶设备）为一个单元，到年底会根据市场销售的订单，每三个月增加一个（单元）。三个月我就能把炉子安装调试好，即三个月为一个周期。安装调试完毕，正式拿到订单露笑科技“豪赌”碳化硅，工厂已建成，谁持“核心专利”依然

碳化硅百度百科

2023年5月4日碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N、B等 2023年8月5日由于生产商数量有限，而基于碳化硅的设计需求巨大，原始设备制造商和汽车供应商越来越希望锁定可靠的长期供应。在当前全球碳化硅功率市场高景气行情下，碳化硅处在爆发式增长的前期，扩产放量是行业关注重点。碳化硅龙头忙扩产，市场将迎来高峰？腾讯新闻2023年6月28日与此同时，8英寸碳化硅的上游原材料和生产设备等环节，也在逐步推进国产化。而海外大厂也在通过整合补全短板，启动一系列产能扩张计划。但蜂拥而至的游戏玩家也让碳化硅赛道变得拥挤不堪。广东芯聚能半导体CEO周晓阳也在芯谋研究承办碳化硅“风起”：海外巨头忙扩产能、国内产业链急追腾讯网

第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代知乎

2021年8月16日除此之外，碳化硅基功率器件在开关频率、散热能力、损耗等指标上也远好于硅基器件。碳化硅材料具有更高的饱和电子迁移速度、更高的热导率、更低的导通阻抗。1、阻抗更低，可以缩小产品体积，提高转换效率；2、频率更高，碳化硅器件的工作频率可达硅基器件的10 倍，而且效率不随着频率的 2021年12月24日因为以后要用到大量的这种材料因此想了解一下这种材料的生产工艺。比如，当前主流的生产现在不是有了碳化硅（SiC）等第三代半导体器件吗？但是，虽然SiC 器件的特性比硅好了很多，但是应用中仍有许多新的问题要解决。应用SiC 10年的我想了解一下碳化硅的生产工艺？知乎2023年6月29日有四五家制出样品、小规模出货，如天科合达等。与此同时，8英寸碳化硅的上游原材料和生产设备等环节，也在逐步推进国产化。而海外大厂也在碳化硅“风起”：海外巨头忙扩产能、国内产业链急追新浪财经

碳化硅“风起”：海外巨头忙扩产能、国内产业链急追碳化硅

2023年6月28日 “在芯片制造、封测、外延等每个环节中，最多能好好活35家企业。这是当前的产业现状。”周晓阳说。海外大厂纷纷扩产8英寸碳化硅相比于传统 2023年7月17日半导体硅片生产工序流程与光伏硅片相似，但不同之处在于： 1）光伏长晶炉在整线中价值量占比超过 80%，而半导体硅片设备中单晶炉、切磨抛设备、外延炉在整线中价值量占比均较高； 2）由于技术壁垒较高，半导体硅片单台价值量远高于光伏。长晶工晶盛机电:迈向半导体+碳化硅设备龙头,设备+零部件布局铸造 2023年5月31日提起碳化硅（SiC）市场的走势，不得不从3月的特斯拉投资者大会说起，当时马斯克说要在未来电动汽车中将碳化硅用量减少75%，此言一出，引得资本市场一片哗然；风声过后，我们还是要思考，碳化硅行业如何应对马斯克提出的问题，找到有利于技术升级和扩大产能的发展之道。碳化硅降本、增量，路在何方？腾讯新闻

一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社

2022年12月1日碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介绍SiC器件制造中的离子注入工艺和激活退火工 2023年6月28日盛美上海并在今年3月份盛美上海宣布首次获得Ultra C SiC碳化硅衬底清洗设备的采购订单，该设备兼容6英寸和8英寸，每小时可达70多片晶圆的产能国产碳化硅进击8英寸工艺节点最佳“掘金”窗口期步入倒计时 2023年7月8日 8英寸是国产设备商的机遇期今年来，国际功率半导体巨头已经频频联手国产碳化硅衬底、材料等环节企业，加速发展8英寸碳化硅。这背后，一方面是国际龙头对国产碳化硅衬底厂商技术进步的认可，另一方面也是看中中国新能源市场机遇，寻求本地化供应趋势丨国产碳化硅进击8英寸，竞争将更加激烈且复杂腾讯网

碳化硅功率模块封装技术综述知乎

2022年7月22日碳化硅作为宽禁带半导体的代表，理论上具有极其优异的性能，有望在大功率电力电子变换器中替换传统硅 IGBT，大幅提升变换器的效率以及功率密度等性能。但是目前商用碳化硅功率模块仍然沿用传统硅 IGBT 模块的封装技术，面临着高频寄生参数大、散 2023年6月10日更为重要的是，基于在LED领域的成功经验，公司认为在较短的时间内大幅降低碳化硅衬底片成本，是可以实现的。露笑科技公司碳化硅业务主要为 6 英寸导电型碳化硅衬底片的生产、销售，目前公司已经安装 280 台长晶炉，碳化硅项目正常推进中。三安光电之碳化硅知乎2020年8月21日三、高纯SiC粉体合成工艺展望改进的自蔓延法合成SiC，原料较为低廉，工序相对简单，是目前实验室用于生长单晶合成SiC粉体常用的方法，且合成过程中发现，不同的合成工艺参数对合成产物有一定影响。今后需要在以下方面加强研究： 1对高纯SiC粉体合成高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望化学

行业研机械设备关注碳化硅设备国产化突破和加速究 2023

2023年2月26日衬底环节是碳化硅器件制造中最核心、最困难的环节。碳化硅衬底价格高是制约碳化硅应用落地的主要原因。由于切片环节良率较低，切抛磨环节约占衬底总成本的2/3，切磨抛设备是衬底加工最核心的设备，国产化率约20%。根据我们测算，预计2025 年 2023年8月11日因此第三代半导体研究主要是集中在材料特征研究，本文主要是研究碳化硅的产业结构。碳化硅产业链主要分为衬底、外延、器件模块、设备四个大领域。目前SiC衬底分半绝缘型碳化硅衬底和导电型碳化硅衬底，市场高度集中，国外Wolfspeed、ⅡⅥ全面领先。第三代半导体深度研究碳化硅知乎2021年7月3日揭秘第三代芯片材料碳化硅国产替代黄金赛道硅是目前制造芯片和半导体器件最广泛的原材料，90% 以上的半导体产品是以硅为原材料制成的揭秘第三代芯片材料碳化硅国产替代黄金赛道芯片碳化硅

为什么碳化硅要用外延，而不是直接切一片厚的晶圆？知乎

2023年8月19日在国产外延设备方面，北方华创、晶盛机电等企业开始小批量生产碳化硅外延设备，且当下存在发展的良机。一是目前国内外延片的制备受限于设备交付环节（疫情等原因），无法快速放量，主流碳化硅高温外延设备交付周期普遍在152年以上。2022年3月7日来源：《拆解PVT生长碳化硅的技术点》工艺的不同导致碳化硅长晶环节相比硅基而言主要有两大劣势。生产难度大，良率较低。碳化硅气相生长的温度在2300℃以上，压力350MPa，全程暗箱进行，易混碳化硅产品的应用方向和生产过程知乎2022年8月25日全球的器件制造商正在加强碳化硅（SiC）的制造，增长将在2024年开始真正起飞。自特斯拉和意法半导体在Model 3中使用碳化硅以来，已经过去了近五年时间。现在，没有人怀疑电动汽车的市场拉动力，但消费者仍然在吵着要更好的续航能力和更快的充电。SiC发展神速设备XFab碳化硅